HYB25D512800CE-6
Номер детали:
HYB25D512800CE-6
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1500
Кол-во
Цена
Итого
1500+
$9.8
$14700
Статус детали
Discontinued at
Тип монтажа
Surface Mount
Рабочая температура
0°C ~ 70°C (TA)
Программируемый
Not Verified
Тип памяти
Volatile
Интерфейс памяти
Parallel
Время цикла записи - Слово, Страница
-
Напряжение питания
2.3V ~ 2.7V
Тактовая частота
166 MHz
Объем памяти
512Mbit
Организация памяти
64M x 8
Формат памяти
DRAM
Технология
SDRAM - DDR
Корпус
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Поставщик Устройство Корпус
66-TSOP II
Новейшие продукты
